您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 RW1A025APT2CR vs FDN306P

RW1A025APT2CR备选型号: FDN306P

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RW1A025APT2CR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    2011
    e2
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    400mW
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    6
    R-PDSO-F6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    12V
    P-CHANNEL
    2.5A
    2nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    44mOhm
    62 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN306P
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount
    10 Weeks
    表面贴装
    -
    2.6A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2001
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    12V
    -
    -2.6A
    1.138nF
    -
    40mOhm
    40 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SuperSOT-3
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    SMD/SMT
    40MOhm
    150°C
    -55°C
    -12V
    -2.6A
    12V
    Single
    26A
    500mW
    11 ns
    P-Channel
    40mOhm @ 2.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1138pF @ 6V
    17nC @ 4.5V
    10ns
    ±8V
    10 ns
    -600mV
    8V
    -12V
    -12V
    -600 mV
    940μm
    2.92mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDN306P FDN306P ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount 对比
CPH3348-TL-W CPH3348-TL-W ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 对比
DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 3-XFDFN MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3 对比