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SPD03N60S5BTMA1备选型号: STD5N60M2
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON3.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2005e3noObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明未说明3R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET38WDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 2A, 10V5.5V @ 135μA不含卤素420pF @ 25V16nC @ 10V25ns±20V15 ns3.2ATO-252AA20V600V5.7A符合RoHS标准含铅----------
MOSFET POWER MOSFET表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON3.5A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus---活跃1 (Unlimited)2EAR99---鸥翼未说明未说明-R-PSSO-G2--增强型MOSFET-DRAIN11.8 nsN-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 1.7A, 10V4V @ 250μA-211pF @ 100V8.5nC @ 10V3ns±25V15 ns3.5A-25V--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 WeeksTin33.949996gSTD5N1Single600V80 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STD5N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
 | STD6N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | STMICROELECTRONICS STD6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
 | IPD60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-Ch 600V 3.1A DPAK-2 | 对比 |
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