SPD03N60S5BTMA1备选型号: STD6N65M2

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 质量
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    3.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    e3
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    38W
    DRAIN
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 2A, 10V
    5.5V @ 135μA
    不含卤素
    420pF @ 25V
    16nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    15 ns
    3.2A
    TO-252AA
    20V
    600V
    5.7A
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STD6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    19 ns
    N-Channel
    -
    1.35 Ω @ 2A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    226pF @ 100V
    9.8nC @ 10V
    7ns
    ±25V
    20 ns
    4A
    -
    25V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    16 Weeks
    3
    3.949996g
    STD6N
    1
    3V
    650V
    无SVHC
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