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STD5N60M2备选型号: SPD03N60S5BTMA1

STD5N60M2

STMicroelectronics

MOSFET POWER MOSFET

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
16 Weeks
Tin
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3
3.949996g
SILICON
3.5A Tc
150°C TJ
Cut Tape (CT)
MDmesh™ II Plus
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
鸥翼
未说明
未说明
STD5N
R-PSSO-G2
1
Single
增强型MOSFET
DRAIN
11.8 ns
N-Channel
SWITCHING
1.4 Ω @ 1.7A, 10V
4V @ 250μA
211pF @ 100V
8.5nC @ 10V
3ns
±25V
15 ns
3.5A
25V
600V
80 mJ
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SPD03N60S5BTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252

-
-
-
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
-
SILICON
3.2A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
CoolMOS™
Obsolete
1 (Unlimited)
2
EAR99
鸥翼
未说明
未说明
-
R-PSSO-G2
-
-
增强型MOSFET
DRAIN
35 ns
N-Channel
SWITCHING
1.4 Ω @ 2A, 10V
5.5V @ 135μA
420pF @ 25V
16nC @ 10V
25ns
±20V
15 ns
3.2A
20V
-
-
符合RoHS标准
含铅
2005
e3
no
Tin (Sn)
雪崩额定
SINGLE
3
不合格
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
38W
不含卤素
TO-252AA
600V
5.7A
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