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STD5N60M2备选型号: STD6N65M2

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STD5N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    3.5A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STD5N
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 1.7A, 10V
    4V @ 250μA
    211pF @ 100V
    8.5nC @ 10V
    3ns
    ±25V
    15 ns
    3.5A
    25V
    600V
    80 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD6N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STD6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
    -
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    -
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    STD6N
    -
    1
    -
    -
    -
    19 ns
    N-Channel
    -
    1.35 Ω @ 2A, 10V
    4V @ 250μA
    226pF @ 100V
    9.8nC @ 10V
    7ns
    ±25V
    20 ns
    4A
    25V
    650V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3V
    无SVHC
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