STGB10H60DF备选型号: STGB10NC60HDT4

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 最大击穿电压
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 终端
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin D2PAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    2.000002g
    600V
    1.5V
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    115W
    未说明
    未说明
    STGB10
    Single
    Standard
    115W
    600V
    20A
    107 ns
    600V
    1.95V @ 15V, 10A
    沟渠现场停车
    57nC
    40A
    19.5ns/103ns
    83μJ (on), 140μJ (off)
    4.6mm
    10.4mm
    9.35mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    IGBT 600V 20A 65W D2PAK
    NRND (Last Updated: 7 months ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    65W
    -
    -
    STGB10
    Single
    Standard
    -
    600V
    20A
    22ns
    600V
    2.5V @ 15V, 5A
    -
    19.2nC
    30A
    14.2ns/72ns
    31.8μJ (on), 95μJ (off)
    4.6mm
    10.4mm
    9.35mm
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    PowerMESH™
    2
    SMD/SMT
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    65W
    电源控制
    5ns
    N-CHANNEL
    19 ns
    247 ns
    20V
    5.75V
    无SVHC
    无铅
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