STMicroelectronics STGB10NC60HDT4

生命周期状态

NRND (Last Updated: 7 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 5A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerMESH™

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

65W

终端形式

鸥翼

基本部件号

STGB10

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

65W

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

上升时间

5ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

20A

反向恢复时间

22ns

最大击穿电压

600V

接通时间

19 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 5A

关断时间-标准值（toff)

247 ns

闸门收费

19.2nC

集极脉冲电流（Icm）

30A

Td（开/关）@25°C

14.2ns/72ns

开关能量

31.8μJ (on), 95μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.75V

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

9.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅