STGB10H60DF备选型号: STGB10NC60KDT4
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB32.000002g600V1.5V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)EAR99115W未说明未说明STGB10SingleStandard115W600V20A107 ns600V1.95V @ 15V, 10A沟渠现场停车57nC40A19.5ns/103ns83μJ (on), 140μJ (off)4.6mm10.4mm9.35mmROHS3 Compliant--------------------------
- IGBT 600V 20A 65W D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB32.240009g600V2.5V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)EAR9965W24530STGB10SingleStandard65W600V20A22 ns600V2.5V @ 15V, 5A-19nC30A17ns/72ns55μJ (on), 85μJ (off)4.6mm10.4mm9.35mmROHS3 CompliantTinSILICONPowerMESH™e32SMD/SMT600V鸥翼10A3R-PSSO-G260WISOLATED17 ns电源控制6ns600VN-CHANNEL10A23 ns242 ns20V7V无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGB10NC60HDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 20A 65W D2PAK | 对比 |
![]() | AUIRG4BC30U-S | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin(2 Tab) D2PAK | 对比 |
![]() | STGB10NC60KDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 20A 65W D2PAK | 对比 |





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