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首页 全部分类 STGD3HF60HDT4 vs NGTB05N60R2DT4G

STGD3HF60HDT4备选型号: NGTB05N60R2DT4G

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 最小工作温度
  • Reach合规守则
  • 高度
  • 长度
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  • STMicroelectronics
    STGD3HF60HDT4
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 7.5A 38W DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.39037mg
    SILICON
    600V
    2.95V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    低导通损耗
    38W
    鸥翼
    260
    30
    STGD3
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    38W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    600V
    7.5A
    85 ns
    600V
    2.95V @ 15V, 1.5A
    12nC
    18A
    11ns/60ns
    19μJ (on), 12μJ (off)
    20V
    5.75V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTB05N60R2DT4G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB05N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    -
    DPAK
    3
    -
    -
    600V
    1.65V
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    56W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    -
    -
    600V
    16A
    70 ns
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2017
    yes
    175°C
    -55°C
    not_compliant
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
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