STMicroelectronics STGD3HF60HDT4
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STGD3HF60HDT4
2381-STGD3HF60HDT4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IGBT 600V 7.5A 38W DPAK
--最小包装量--
STGD3HF60HDT4详情
STMicroelectronics STGD3HF60HDT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.39037mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.95V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 1.5A, 100 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
低导通损耗
最大功率耗散
38W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STGD3
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
38W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
7.5A
反向恢复时间
85 ns
最大击穿电压
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.95V @ 15V, 1.5A
闸门收费
12nC
集极脉冲电流(Icm)
18A
Td(开/关)@25°C
11ns/60ns
开关能量
19μJ (on), 12μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGD3HF60HDT4拓展信息
STMicroelectronics
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