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首页 全部分类 STGD6NC60HDT4 vs NGTB10N60R2DT4G

STGD6NC60HDT4备选型号: NGTB10N60R2DT4G

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 已出版
  • 无铅代码
  • Reach合规守则
  • 功率 - 最大
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STGD6NC60HDT4
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 15A 56W DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    350.003213mg
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    56W
    鸥翼
    260
    15A
    30
    STGD6
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    50W
    Standard
    12 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    15A
    21 ns
    TO-252AA
    600V
    17.3 ns
    2.5V @ 15V, 3A
    6A
    222 ns
    13.6nC
    21A
    12ns/76ns
    20μJ (on), 68μJ (off)
    20V
    5.75V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTB10N60R2DT4G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    -
    600V
    1.7V
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    72W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    -
    600V
    20A
    90 ns
    -
    600V
    -
    2.1V @ 15V, 10A
    -
    -
    53nC
    40A
    48ns/120ns
    412μJ (on), 140μJ (off)
    -
    -
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2017
    yes
    not_compliant
    72W
    无SVHC
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