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STGD6NC60HDT4备选型号: STGD10NC60KDT4

STGD6NC60HDT4

STMicroelectronics

IGBT 600V 15A 56W DPAK

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
8 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3
350.003213mg
SILICON
600V
1.9V
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
PowerMESH™
e3
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
Tin (Sn)
600V
56W
鸥翼
260
15A
30
STGD6
3
R-PSSO-G2
Single
50W
Standard
12 ns
电源控制
N-CHANNEL
600V
15A
21 ns
TO-252AA
600V
17.3 ns
2.5V @ 15V, 3A
6A
222 ns
13.6nC
21A
12ns/76ns
20μJ (on), 68μJ (off)
20V
5.75V
2.4mm
6.6mm
6.2mm
无
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
-
STGD10NC60KDT4

STMicroelectronics

IGBT 600V 20A 62W DPAK

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
8 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
3
-
SILICON
600V
2V
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
PowerMESH™
-
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
-
-
62W
鸥翼
-
-
-
STGD10
3
R-PSSO-G2
Single
-
Standard
17 ns
电源控制
N-CHANNEL
600V
20A
22 ns
-
600V
23 ns
2.5V @ 15V, 5A
-
242 ns
19nC
30A
17ns/72ns
55μJ (on), 85μJ (off)
20V
7V
2.4mm
6.6mm
6.2mm
无
ROHS3 Compliant
无铅
COLLECTOR
62W
6.5ns
无SVHC
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	STGD10NC60KDT4	STMicroelectronics	晶体管 - IGBT - 单个	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 20A 62W DPAK	对比
	NGTB10N60R2DT4G	ON Semiconductor	晶体管 - IGBT - 单个	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 Pins	对比
	NGTB05N60R2DT4G	ON Semiconductor	晶体管 - IGBT - 单个	DPAK	ON SEMICONDUCTOR NGTB05N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pins	对比