STGD8NC60KDT4备选型号: STGD6NC60HDT4
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- JEDEC-95代码
- 连续集电极电流
- IGBT 600V 15A 62W DPAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633350.003213mgSILICON600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™活跃1 (Unlimited)2EAR9962W鸥翼STGD83R-PSSO-G2SingleCOLLECTORStandard17 ns62W电源控制N-CHANNEL600V15A23.5 ns600V23 ns2.75V @ 15V, 3A242 ns19nC30A17ns/72ns55μJ (on), 85μJ (off)20V6.5V2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅----------
- IGBT 600V 15A 56W DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633350.003213mgSILICON600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™活跃1 (Unlimited)2EAR9956W鸥翼STGD63R-PSSO-G2Single-Standard12 ns-电源控制N-CHANNEL600V15A21 ns600V17.3 ns2.5V @ 15V, 3A222 ns13.6nC21A12ns/76ns20μJ (on), 68μJ (off)20V5.75V2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅1.9Ve3Tin (Sn)600V26015A3050WTO-252AA6A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NGTB10N60R2DT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 15A 56W DPAK | 对比 |
![]() | NGTB05N60R2DT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | DPAK | ON SEMICONDUCTOR NGTB05N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252, 3 Pins | 对比 |




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