STMicroelectronics STGD8NC60KDT4
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STGD8NC60KDT4
2381-STGD8NC60KDT4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IGBT 600V 15A 62W DPAK
--最小包装量--
STGD8NC60KDT4详情
STMicroelectronics STGD8NC60KDT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
350.003213mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Test Conditions
390V, 3A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
72 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerMESH™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
62W
终端形式
鸥翼
基本部件号
STGD8
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
17 ns
功率 - 最大
62W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
15A
反向恢复时间
23.5 ns
最大击穿电压
600V
接通时间
23 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.75V @ 15V, 3A
关断时间-标准值(toff)
242 ns
闸门收费
19nC
集极脉冲电流(Icm)
30A
Td(开/关)@25°C
17ns/72ns
开关能量
55μJ (on), 85μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGD8NC60KDT4拓展信息
STMicroelectronics
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