STGW50H60DF备选型号: NGTB50N60S1WG
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 已出版
- 无铅代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode通孔通孔TO-247-36.500007gSILICON600V1.8V-55°C~150°C TJTubee3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)360WSTGW503R-PSFM-T3SingleStandard62 ns360W电源控制N-CHANNEL600V100A55 ns91 ns1.8V @ 15V, 50A285 ns沟渠现场停车217nC200A62ns/178ns890μJ (on), 860μJ (off)20V无ROHS3 Compliant无铅-----------
- ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins通孔通孔TO-247-3--600V1.8V-55°C~175°C TJTubee3Obsolete1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)417W---SingleStandard-417W--2V100A94 ns-2V @ 15V, 50A-Trench220nC200A100ns/237ns1.5mJ (on), 460μJ (off)--符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks32009yes未说明未说明21.4mm16.25mm5.3mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW39NC60VD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGW45HF60WD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | 对比 |
| NGTB50N60S1WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |



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