您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STGW50H60DF vs STGW39NC60VD

STGW50H60DF备选型号: STGW39NC60VD

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STGW50H60DF
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    360W
    STGW50
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    Standard
    62 ns
    360W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    100A
    55 ns
    91 ns
    1.8V @ 15V, 50A
    285 ns
    沟渠现场停车
    217nC
    200A
    62ns/178ns
    890μJ (on), 860μJ (off)
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW39NC60VD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    250W
    STGW39
    3
    -
    Single
    Standard
    33 ns
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    45ns
    46 ns
    2.4V @ 15V, 30A
    366 ns
    -
    126nC
    220A
    33ns/178ns
    333μJ (on), 537μJ (off)
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    Tin
    3
    PowerMESH™
    600V
    40A
    250W
    ISOLATED
    13ns
    600V
    40A
    TO-247AC
    5.75V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STGW39NC60VD STGW39NC60VD STMicroelectronics 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins 对比
STGW45HF60WD STGW45HF60WD STMicroelectronics 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube 对比
NGTB50N60S1WG NGTB50N60S1WG ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins 对比