STGW50H60DF备选型号: STGW45HF60WD

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 附加功能
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    360W
    STGW50
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    Standard
    62 ns
    360W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    100A
    55 ns
    91 ns
    1.8V @ 15V, 50A
    285 ns
    沟渠现场停车
    217nC
    200A
    62ns/178ns
    890μJ (on), 860μJ (off)
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    250W
    STGW45
    3
    -
    Single
    Standard
    30 ns
    250W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    70A
    55 ns
    44 ns
    2.5V @ 15V, 30A
    250 ns
    -
    160nC
    150A
    30ns/145ns
    300μJ (on), 330μJ (off)
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    低导通损耗
    5.75V
    24.45mm
    15.75mm
    5.15mm
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