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STL19N60DM2备选型号: FCMT299N60
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- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 质量
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- ECCN 代码
- 电阻
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,12 WeeksACTIVE (Last Updated: 8 months ago)8-PowerVDFN表面贴装表面贴装890W TcMDmesh™ DM2Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃3 (168 Hours)STL19N-Channel320m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA21nC @ 10V600V±25V11AROHS3 Compliant---------------
MOSFET HV SuperJunction MOS33 WeeksACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4-PowerTSFN表面贴装表面贴装4125W TcSuperFET® IITape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)-N-Channel299m Ω @ 6A, 10V3.5V @ 250μA51nC @ 10V-±20V12AROHS3 Compliant449.03225mgyesEAR99199mOhm260not_compliant未说明1Single19 ns1948pF @ 380V9ns7 ns20V600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB18N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 | 对比 |
| FCMT299N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 4-PowerTSFN | MOSFET HV SuperJunction MOS | 对比 |
 | STL18NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT | 对比 |
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