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STL19N60DM2备选型号: STL18NM60N
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- RoHS状态
- 晶体管元件材料
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- 端子位置
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- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,12 WeeksACTIVE (Last Updated: 8 months ago)8-PowerVDFN表面贴装表面贴装890W TcMDmesh™ DM2Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃3 (168 Hours)STL19N-Channel320m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA21nC @ 10V600V±25V11AROHS3 Compliant--------------------------
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT-NRND (Last Updated: 7 months ago)8-PowerVDFN表面贴装表面贴装52.1A Ta 12A TcMDmesh™ IITape & Reel (TR)150°C TJ活跃3 (168 Hours)STL18N-Channel310m Ω @ 6A, 10V4V @ 250μA35nC @ 10V-±30V12AROHS3 CompliantSILICON5EAR99310mOhmDUAL5Single增强型MOSFET110WDRAIN20 nsSWITCHING1000pF @ 50V22ns40 ns3V25V2.1A600V8.4A950μm8mm8mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB18N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 | 对比 |
 | FCMT299N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 4-PowerTSFN | MOSFET HV SuperJunction MOS | 对比 |
| STL18NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT | 对比 |
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