STMicroelectronics STL18NM60N

生命周期状态

NRND (Last Updated: 7 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.1A Ta 12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 110W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™ II

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

310mOhm

端子位置

DUAL

基本部件号

STL18

引脚数量

5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

310m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1000pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

22ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.1A

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8.4A

高度

950μm

长度

8mm

宽度

8mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅