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STL19N60DM2备选型号: STB18N60M2
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
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- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,12 WeeksACTIVE (Last Updated: 8 months ago)8-PowerVDFN表面贴装表面贴装890W TcMDmesh™ DM2Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃3 (168 Hours)STL19N-Channel320m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA21nC @ 10V600V±25V11AROHS3 Compliant------------------------
MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M226 Weeks-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装313A TcMDmesh™ II PlusTape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)STB18NN-Channel280m Ω @ 6.5A, 10V4V @ 250μA21.5nC @ 10V600V±25V13AROHS3 CompliantSILICON2EAR99280mOhm鸥翼R-PSSO-G21Single增强型MOSFET110WDRAIN12 nsSWITCHING791pF @ 100V9ns10.6 ns25V52A600V4.6mm10.4mm9.35mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB18N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 | 对比 |
 | FCMT299N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 4-PowerTSFN | MOSFET HV SuperJunction MOS | 对比 |
 | STL18NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT | 对比 |
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