STP18N60DM2备选型号: IPP60R280P6XKSA1
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- 操作温度
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 达到SVHC
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- 已出版
- 最小工作温度
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 漏源击穿电压
- 无铅
- STMICROELECTRONICS STP18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V17 WeeksACTIVE (Last Updated: 7 months ago)TO-220-3通孔通孔3TO-22012A TcMDmesh™ DM2Tube150°C TJ活跃1 (Unlimited)150°CSTP18NN-Channel295mOhm @ 6A, 10V5V @ 250μA800pF @ 100V20nC @ 10V600V±25V12A3V800pF260mOhm295 mΩROHS3 Compliant无SVHC------------
- INFINEON IPP60R280P6Power MOSFET, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V18 Weeks-TO-220-3通孔通孔3PG-TO220-313.8A TcCoolMOS™Tube-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)150°C-N-Channel280mOhm @ 6.5A, 10V3.5V @ 430μA950pF @ 100V43nC @ 10V600V±20V13.8A-950pF252mOhm280 mΩROHS3 Compliant-6.000006g2008-55°C1104W12 ns无卤素6ns20V600V600V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STP18NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STP18NM60N Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
![]() | STP19NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power | 对比 |
![]() | IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | INFINEON IPP60R280P6Power MOSFET, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |




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