STP18N60DM2备选型号: IPP60R280P6XKSA1

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 基本部件号
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
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  • 已出版
  • 最小工作温度
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  • 接通延迟时间
  • 无卤素
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STP18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
    17 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    TO-220
    12A Tc
    MDmesh™ DM2
    Tube
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    STP18N
    N-Channel
    295mOhm @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    800pF @ 100V
    20nC @ 10V
    600V
    ±25V
    12A
    3V
    800pF
    260mOhm
    295 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    INFINEON IPP60R280P6Power MOSFET, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
    18 Weeks
    -
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    PG-TO220-3
    13.8A Tc
    CoolMOS™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -
    N-Channel
    280mOhm @ 6.5A, 10V
    3.5V @ 430μA
    950pF @ 100V
    43nC @ 10V
    600V
    ±20V
    13.8A
    -
    950pF
    252mOhm
    280 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    6.000006g
    2008
    -55°C
    1
    104W
    12 ns
    无卤素
    6ns
    20V
    600V
    600V
    无铅
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