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1

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10

￥11.486438
100

￥10.836269
500

￥10.222893
1000

￥9.644234

STMicroelectronics STP18N60DM2

Name: STP18N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-STP18N60DM2
Price: 12.18 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

STP18N60DM2

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STP18N60DM2

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

STMICROELECTRONICS STP18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V

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STP18N60DM2详情

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型号对比

STMicroelectronics STP18N60DM2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

17 Weeks
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
包装/外壳

TO-220-3
安装类型

通孔
底架

通孔
引脚数

3
供应商器件包装

TO-220
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc
Power Dissipation (Max)

90W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
系列

MDmesh™ DM2
包装

Tube
操作温度

150°C TJ
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
基本部件号

STP18N
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

295mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

800pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

600V
Vgs（最大值）

±25V
连续放电电流(ID)

12A
阈值电压

3V
输入电容

800pF
漏源电阻

260mOhm
最大rds

295 mΩ
RoHS状态

ROHS3 Compliant
达到SVHC

无SVHC

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STP18N60DM2拓展信息

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