STP18N60DM2备选型号: STP19NM50N

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  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 基本部件号
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STP18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
    17 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    TO-220
    12A Tc
    MDmesh™ DM2
    Tube
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    STP18N
    N-Channel
    295mOhm @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    800pF @ 100V
    20nC @ 10V
    600V
    ±25V
    12A
    3V
    800pF
    260mOhm
    295 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
    16 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    14A Tc
    MDmesh™ II
    Tube
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    STP19N
    N-Channel
    250m Ω @ 7A, 10V
    4V @ 250μA
    1000pF @ 50V
    34nC @ 10V
    -
    ±25V
    14A
    3V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    250mOhm
    Matte Tin (Sn)
    3
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    12 ns
    SWITCHING
    16ns
    17 ns
    TO-220AB
    25V
    500V
    56A
    208 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无铅
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