STP18N60DM2备选型号: STP18NM60N
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- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- STMICROELECTRONICS STP18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V17 WeeksACTIVE (Last Updated: 7 months ago)TO-220-3通孔通孔3TO-22012A TcMDmesh™ DM2Tube150°C TJ活跃1 (Unlimited)150°CSTP18NN-Channel295mOhm @ 6A, 10V5V @ 250μA800pF @ 100V20nC @ 10V600V±25V12A3V800pF260mOhm295 mΩROHS3 Compliant无SVHC---------------------
- STMICROELECTRONICS STP18NM60N Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V16 WeeksACTIVE (Last Updated: 8 months ago)TO-220-3通孔通孔3-13A TcMDmesh™ IITube-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)-STP18NN-Channel285m Ω @ 6.5A, 10V4V @ 250μA1000pF @ 50V35nC @ 10V-±25V13A3V---ROHS3 Compliant无SVHCSILICON3EAR99285mOhm3Single增强型MOSFET110W12 nsSWITCHING15ns25 nsTO-220AB25V600V52A15.75mm10.4mm4.6mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STP18NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STP18NM60N Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
![]() | STP19NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power | 对比 |
![]() | IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | INFINEON IPP60R280P6Power MOSFET, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |




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