STT6N3LLH6备选型号: DMN3026LVT-7
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- 电容量
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VIACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-666A Tc150°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VIe3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - annealedSTT6NSingle1.6W4.8 nsN-Channel25m Ω @ 3A, 10V1V @ 250μA283pF @ 24V3.6nC @ 4.5V11.2ns±20V5.4 ns6A20V6A30V1.3mm3.05mm1.75mm无ROHS3 Compliant无铅-------------
- MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26-23 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6-6.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)-Single-2.2 nsN-Channel23m Ω @ 6.5A, 10V2V @ 250μA643pF @ 15V12.5nC @ 10V2.5ns±20V3 ns6.6A20V-30V----ROHS3 Compliant-SILICON20146643pFDUAL鸥翼26030R-PDSO-G61增强型MOSFETSWITCHING0.023Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC855N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT | 对比 | |
| FDC8886 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET | 对比 | |
![]() | DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26 | 对比 |




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