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STT6N3LLH6备选型号: FDC855N
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 无铅代码
- 终止次数
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 操作模式
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 达到SVHC
MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VIACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-666A Tc150°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VIe3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - annealedSTT6NSingle1.6W4.8 nsN-Channel25m Ω @ 3A, 10V1V @ 250μA283pF @ 24V3.6nC @ 4.5V11.2ns±20V5.4 ns6A20V6A30V1.3mm3.05mm1.75mm无ROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOTACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-666.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)-Single1.6W6 nsN-Channel27m Ω @ 6.1A, 10V3V @ 250μA655pF @ 15V13nC @ 10V2ns±20V2 ns6.1A20V-30V1mm3mm1.7mm无ROHS3 Compliant无铅36mgSILICON2007yes627MOhmDUAL鸥翼增强型MOSFETSWITCHING2V2 V95 pF无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC855N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT | 对比 |
| FDC8886 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET | 对比 |
 | DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26 | 对比 |
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