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STT6N3LLH6备选型号: FDC8886
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 无铅代码
- 终止次数
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 操作模式
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 反馈上限-最大值 (Crss)
MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VIACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-666A Tc150°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VIe3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - annealedSTT6NSingle1.6W4.8 nsN-Channel25m Ω @ 3A, 10V1V @ 250μA283pF @ 24V3.6nC @ 4.5V11.2ns±20V5.4 ns6A20V6A30V1.3mm3.05mm1.75mm无ROHS3 Compliant无铅-------------
MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFETACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-666.5A Ta 8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)-Single1.6W5 nsN-Channel23m Ω @ 6.5A, 10V3V @ 250μA465pF @ 15V7.4nC @ 10V1ns±20V1 ns6.5A20V8A30V1mm3mm1.7mm无ROHS3 Compliant-36mgSILICON2011yes68541.29.00.95DUAL鸥翼增强型MOSFETSWITCHINGMO-193AA0.023Ohm25 pF- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC855N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT | 对比 |
| FDC8886 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET | 对比 |
 | DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26 | 对比 |
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