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首页 全部分类 TBC857B,LM vs 2SA1162-GR,LF

TBC857B,LM备选型号: 2SA1162-GR,LF

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  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • RoHS状态
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TBC857B,LM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    50V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    unknown
    R-PDSO-G3
    SINGLE
    320mW
    AMPLIFIER
    PNP
    PNP
    650mV
    150mA
    210 @ 2mA 5V
    30nA ICBO
    650mV @ 100mA, 5mA
    80MHz
    50V
    80MHz
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SA1162-GR,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    50V
    125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    unknown
    -
    -
    150mW
    -
    -
    PNP
    50V
    150mA
    200 @ 2mA 6V
    100nA ICBO
    300mV @ 10mA, 100mA
    -
    50V
    -
    符合RoHS标准
    7.994566mg
    100mV
    80MHz
    EAR99
    2SA1162
    Single
    50V
    5V
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
TBC847B,LM TBC847B,LM Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L 对比
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 对比
2SA1162YT1 2SA1162YT1 ON Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 对比