TBC857B,LM备选型号: TBC847B,LM
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON50V150°C TJTape & Reel (TR)2016yes活跃1 (Unlimited)3DUAL鸥翼unknownR-PDSO-G3SINGLE320mWAMPLIFIERPNPPNP650mV150mA210 @ 2mA 5V30nA ICBO650mV @ 100mA, 5mA80MHz50V80MHz符合RoHS标准--
- X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-50V150°C TJTape & Reel (TR)2016-活跃1 (Unlimited)------320mW--NPN400mV150mA200 @ 2mA 5V30nA ICBO400mV @ 100mA, 5mA-50V100MHz符合RoHS标准SOT-2350V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TBC847B,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L | 对比 |
| 2SA1162-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI | 对比 | |
![]() | 2SA1162YT1 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 | 对比 |




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