Toshiba Semiconductor and Storage TBC857B,LM

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Power Dissipation (Max)

320mW

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

功率 - 最大

320mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

210 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

30nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 100mA, 5mA

转换频率

80MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

80MHz

RoHS状态

符合RoHS标准