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首页 全部分类 TK6P65W,RQ vs IPD65R950C6ATMA1

TK6P65W,RQ备选型号: IPD65R950C6ATMA1

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  • 终止次数
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  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK6P65W,RQ
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
    16 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3.5V @ 180μA
    60W Tc
    2015
    DTMOSIV
    Cut Tape (CT)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    1.05 Ω @ 2.9A, 10V
    390pF @ 300V
    11nC @ 10V
    650V
    ±30V
    5.8A
    符合RoHS标准
    -
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  • Infineon Technologies
    IPD65R950C6ATMA1
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-3
    12 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3.5V @ 200μA
    37W Tc
    2008
    CoolMOS™ C6
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    950m Ω @ 1.5A, 10V
    328pF @ 100V
    15.3nC @ 10V
    -
    ±20V
    4.5A
    ROHS3 Compliant
    3
    3.949996g
    SILICON
    e3
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    37W
    6.6 ns
    SWITCHING
    无卤素
    5.2ns
    13.6 ns
    20V
    650V
    0.95Ohm
    650V
    50 mJ
    not_compliant
    Contains Lead, Lead Free
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