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1

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10

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100

￥5.345335
500

￥5.042768
1000

￥4.757329

Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ

Name: TK6P65W,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-TK6P65W,RQ
Price: 6.01 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TK6P65W,RQ

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TK6P65W,RQ

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

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TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

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TK6P65W,RQ详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

16 Weeks
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型

表面贴装
底架

表面贴装
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 180μA
Power Dissipation (Max)

60W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.8A Ta
已出版

2015
系列

DTMOSIV
包装

Cut Tape (CT)
操作温度

150°C TJ
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.05 Ω @ 2.9A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

390pF @ 300V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

650V
Vgs（最大值）

±30V
连续放电电流(ID)

5.8A
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

TK6P65W,RQ拓展信息

热销零件