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TK6P65W,RQ备选型号: STD9HN65M2

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安装类型
底架
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
已出版
系列
包装
操作温度
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
供应商器件包装
基本部件号
输入电容
最大rds

TK6P65W,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

16 Weeks
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面贴装
表面贴装
3.5V @ 180μA
60W Tc
2015
DTMOSIV
Cut Tape (CT)
150°C TJ
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
1.05 Ω @ 2.9A, 10V
390pF @ 300V
11nC @ 10V
650V
±30V
5.8A
符合RoHS标准
-
-
-
-
STD9HN65M2

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面贴装
表面贴装
4V @ 250μA
5.5A Tc
-
MDmesh™ M2
Cut Tape (CT)
150°C TJ
NRND (Last Updated: 8 months ago)
1 (Unlimited)
N-Channel
820mOhm @ 2.5A, 10V
325pF @ 100V
11.5nC @ 10V
650V
±25V
5.5A
ROHS3 Compliant
DPAK
STD9H
325pF
820 mΩ
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