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首页 全部分类 TK6P65W,RQ vs IPD70R950CEAUMA1

TK6P65W,RQ备选型号: IPD70R950CEAUMA1

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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK6P65W,RQ
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
    16 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3.5V @ 180μA
    60W Tc
    2015
    DTMOSIV
    Cut Tape (CT)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    1.05 Ω @ 2.9A, 10V
    390pF @ 300V
    11nC @ 10V
    650V
    ±30V
    5.8A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IPD70R950CEAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
    18 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3.5V @ 150μA
    7.4A Tc
    2013
    CoolMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    活跃
    3 (168 Hours)
    N-Channel
    950m Ω @ 1.5A, 10V
    328pF @ 100V
    15.3nC @ 10V
    -
    ±20V
    7.4A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    700V
    0.95Ohm
    12A
    50 mJ
    超级交界处
    not_compliant
    含铅
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