TK8A65W,S5X备选型号: IPA65R650CEXKSA1

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    TO-220SIS
    7.8A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    650mOhm @ 3.9A, 10V
    3.5V @ 300μA
    570pF @ 300V
    16nC @ 10V
    650V
    ±30V
    7.8A
    570pF
    650 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    10V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ CE
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    650m Ω @ 2.1A, 10V
    3.5V @ 210μA
    440pF @ 100V
    23nC @ 10V
    -
    ±20V
    7A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    6.000006g
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    1
    无卤素
    650V
    无铅
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