TK8A65W,S5X备选型号: STF11N65M5

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    TO-220SIS
    7.8A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    650mOhm @ 3.9A, 10V
    3.5V @ 300μA
    570pF @ 300V
    16nC @ 10V
    650V
    ±30V
    7.8A
    570pF
    650 mΩ
    符合RoHS标准
    -
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    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N CH 650V 9A TO-220FP
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    9A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    480m Ω @ 4.5A, 10V
    5V @ 250μA
    644pF @ 100V
    17nC @ 10V
    -
    ±25V
    9A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    SILICON
    3
    EAR99
    STF11
    Single
    增强型MOSFET
    85W
    23 ns
    SWITCHING
    TO-220AB
    25V
    9A
    0.48Ohm
    650V
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无铅
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