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首页 全部分类 TP5335K1-G vs IRLML2803TRPBF

TP5335K1-G备选型号: IRLML2803TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
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  • RoHS状态
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  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microchip Technology
    TP5335K1-G
    Microchip Technology
    Mosfet, P-channel Enhancement-mode, -350V, 30 Ohm 3 SOT-23 1.3MM T/r
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    1.437803g
    SILICON
    85mA Tj
    -55°C~150°C
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    低阈值
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    不合格
    1
    Single
    增强型MOSFET
    360mW
    20 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    30 Ω @ 200mA, 10V
    2.4V @ 1mA
    110pF @ 25V
    15ns
    350V
    ±20V
    15 ns
    -85mA
    20V
    0.085A
    -350V
    150°C
    22 pF
    1.12mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2803TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    1.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    540mW
    3.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 910mA, 10V
    1V @ 250μA
    85pF @ 25V
    4ns
    -
    ±20V
    1.7 ns
    1.2A
    20V
    -
    30V
    150°C
    -
    1.12mm
    ROHS3 Compliant
    Tin
    Micro3
    HEXFET®
    SMD/SMT
    250mOhm
    30V
    1.2A
    5nC @ 10V
    1V
    30V
    1 V
    30V
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    无铅
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