Microchip Technology TP5335K1-G

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

1.437803g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

85mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Ta

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

低阈值

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

360mW

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30 Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

110pF @ 25V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

350V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

-85mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.085A

漏源击穿电压

-350V

最大结点温度（Tj）

150°C

反馈上限-最大值 (Crss)

22 pF

高度

1.12mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant