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首页 全部分类 TP5335K1-G vs SN7002NH6327XTSA1

TP5335K1-G备选型号: SN7002NH6327XTSA1

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 输入电容
  • 最大rds
  • Microchip Technology
    TP5335K1-G
    Microchip Technology
    Mosfet, P-channel Enhancement-mode, -350V, 30 Ohm 3 SOT-23 1.3MM T/r
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    1.437803g
    SILICON
    85mA Tj
    -55°C~150°C
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    低阈值
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    不合格
    1
    Single
    增强型MOSFET
    360mW
    20 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    30 Ω @ 200mA, 10V
    2.4V @ 1mA
    110pF @ 25V
    15ns
    350V
    ±20V
    15 ns
    -85mA
    20V
    0.085A
    -350V
    150°C
    22 pF
    1.12mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SN7002NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
    70 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    -
    200mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    360mW
    2.4 ns
    N-Channel
    -
    5Ohm @ 500mA, 10V
    1.8V @ 26μA
    45pF @ 25V
    3.2ns
    60V
    ±20V
    3.6 ns
    200mA
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SOT-23-3
    Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
    150°C
    -55°C
    1.5nC @ 10V
    45pF
    5 Ω
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