Samsung的存储器_正品采购_价格信息

品牌是'Samsung' (1157)

产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	表面安装	引脚数	终端数量	制造商包装标识符																											包装	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	界面	最大电源电压	最小电源电压	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	最高频率	I/O类型	内存IC类型	刷新周期	顺序突发长度	交错突发长度	访问模式	自我刷新
K4A8G165WC-BCTD	SAMSUNG	数据表	20000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory (ICs)	FBGA-96																	未说明			compliant		未说明																												DDR DRAM									符合RoHS标准
K4B4G1646E-BYMA	SAMSUNG	数据表	224 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory (ICs)	FBGA-96(7.5x13.3)
K4B4G1646E-BCMA	Samsung	数据表	3 In Stock	1: ¥30.533188 10: ¥28.804895 100: ¥27.174429 500: ¥25.636253 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1
K4B1G1646G-BCH9	Samsung	数据表	906 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	96	PLASTIC/EPOXY	BGA96,9X16,32	未说明	0.255 ns	有	K4B1G1646G-BCH9	667 MHz	67108864 words	1.5 V	FBGA	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	8.58				FBGA, BGA96,9X16,32	GRID ARRAY, FINE PITCH	3	64000000		e1	有		Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)					DRAMs	CMOS	BOTTOM	BALL	225		0.8 mm	compliant				R-PBGA-B96	不合格			1.5 V										0.17 mA		64MX16	3-STATE		16			0.01 A	1073741824 bit		COMMON	DDR DRAM	8192	4,8	4,8
K4B2G1646F-BYMA	Samsung	数据表	8 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
K4S561632J-UC75	Samsung	数据表	1 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	YES	54	54	TSOP(II)54	PLASTIC/EPOXY	TSOP54,.46,32	未说明	5.4 ns	70 °C	有	K4S561632J-UC75	133 MHz	16777216 words	3.3 V	TSOP	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.65	Compliant	SDRAM	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	2	16000000	卷带	e6	有		Tin/Bismuth (Sn97Bi3)	70 °C	0 °C			DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260		0.8 mm	unknown	133 MHz			R-PDSO-G54	不合格	3.3 V		3.3 V	COMMERCIAL		Parallel	3.6 V	3 V	32 MB		110 mA		0.12 mA	7.5 ns	16MX16	3-STATE		16	15 b	256 Mb	0.002 A	268435456 bit	133 MHz	COMMON	同步剧	8192	1,2,4,8,FP	1,2,4,8			1.2 mm				无铅
K4B2G0846D-HCH9	Samsung	数据表	1990 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	78	0.255 ns	85 °C	有	K4B2G0846D-HCH9	667 MHz	268435456 words	1.5 V	FBGA	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.79				FBGA, BGA78,9X13,32	GRID ARRAY, FINE PITCH	256000000	PLASTIC/EPOXY	BGA78,9X13,32										DRAMs	CMOS	BOTTOM	BALL			0.8 mm	compliant				R-PBGA-B78	不合格			1.5 V	OTHER									0.135 mA		256MX8	3-STATE		8			0.012 A	2147483648 bit		COMMON	DDR DRAM	8192	8	8
K4S281632I-UC75	Samsung	数据表	6175 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	54	8000000	PLASTIC/EPOXY	TSOP54,.46,32	未说明	5.4 ns	70 °C	有	K4S281632I-UC75	133 MHz	8388608 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	8.33				TSOP2, TSOP54,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3		e6	有		Tin/Bismuth (Sn97Bi3)			AUTO/SELF REFRESH		DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	compliant				R-PDSO-G54	不合格		3.6 V	3.3 V	COMMERCIAL	3 V					1		SYNCHRONOUS	0.2 mA		8MX16	3-STATE	1.2 mm	16			0.002 A	134217728 bit		COMMON	同步剧	4096	1,2,4,8,FP	1,2,4,8	四库页面突发	YES		22.22 mm	10.16 mm
K4S641632K-UC75	Samsung	数据表	21 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	54	PLASTIC/EPOXY	TSOP54,.46,32	5.4 ns	70 °C	有	K4S641632K-UC75	133 MHz	4194304 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.79				TSOP2, TSOP54,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3	4000000		e6	有	EAR99	Tin/Bismuth (Sn97Bi3)			AUTO/SELF REFRESH		DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼		1	0.8 mm	unknown				R-PDSO-G54	不合格		3.6 V	3.3 V	COMMERCIAL	3 V					1		SYNCHRONOUS	0.085 mA		4MX16	3-STATE	1.2 mm	16			0.001 A	67108864 bit		COMMON	同步剧	4096	1,2,4,8,FP	1,2,4,8	四库页面突发	YES		22.22 mm	10.16 mm
K4S281632F-UC75	Samsung	数据表	200 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	54	8000000	PLASTIC/EPOXY	TSOP54,.46,32	未说明	6 ns	70 °C	有	K4S281632F-UC75	133 MHz	8388608 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	8.4				TSOP2, TSOP54,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3		e6	有	EAR99	Tin/Bismuth (Sn97Bi3)			AUTO/SELF REFRESH	8542.32.00.02	DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	unknown				R-PDSO-G54	不合格		3.6 V	3.3 V	COMMERCIAL	3 V					1		SYNCHRONOUS	0.2 mA		8MX16	3-STATE	1.2 mm	16			0.002 A	134217728 bit		COMMON	同步剧	4096	1,2,4,8,FP	1,2,4,8	四库页面突发	YES		22.22 mm	10.16 mm
K4S643232H-UC60	Samsung	数据表	3 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	86	TSSOP86,.46,20	40	5.5 ns	70 °C	有	K4S643232H-UC60	166 MHz	2097152 words	3.3 V	TSSOP	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.52				SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	3	2000000	PLASTIC/EPOXY		e6			Tin/Bismuth (Sn97Bi3)					DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260		0.5 mm	unknown				R-PDSO-G86	不合格			3.3 V	COMMERCIAL									0.15 mA		2MX32	3-STATE		32			0.002 A	67108864 bit		COMMON	同步剧	4096	1,2,4,8,FP	1,2,4,8
K4H561638H-UCB3	Samsung	数据表	23 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	66	16000000	PLASTIC/EPOXY	TSSOP66,.46	40	0.7 ns	70 °C	有	K4H561638H-UCB3	166 MHz	16777216 words	2.3 V	TSSOP	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.79				Compliant	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	3		e6	有		Tin/Bismuth (Sn97Bi3)					DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260		0.635 mm	unknown	166 MHz			R-PDSO-G66	不合格			2.3 V	COMMERCIAL									0.33 mA		16MX16	3-STATE		16			0.003 A	268435456 bit		COMMON	DDR DRAM	8192	2,4,8	2,4,8							无铅
K4T51163QJ-BCE7	Samsung	数据表	210 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
K4H561638H-UCCC	Samsung	数据表	171 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	66	TSSOP66,.46	未说明	0.65 ns	70 °C	有	K4H561638H-UCCC	200 MHz	16777216 words	2.5 V	TSSOP	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.8				SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	3	16000000	PLASTIC/EPOXY		e6	有		Tin/Bismuth (Sn97Bi3)					DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260		0.635 mm	unknown				R-PDSO-G66	不合格			2.5 V	COMMERCIAL									0.35 mA		16MX16	3-STATE		16			0.004 A	268435456 bit		COMMON	DDR DRAM	8192	2,4,8	2,4,8
K4S561632E-UC75	Samsung	数据表	199 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	54	16000000	PLASTIC/EPOXY	TSOP54,.46,32	未说明	5.4 ns	70 °C	有	K4S561632E-UC75	133 MHz	16777216 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.66				TSOP2, TSOP54,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3		e6	有		Tin/Bismuth (Sn96Bi4)			AUTO/SELF REFRESH		DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	unknown				R-PDSO-G54	不合格		3.6 V	3.3 V	COMMERCIAL	3 V					1		SYNCHRONOUS	0.18 mA		16MX16	3-STATE	1.2 mm	16			0.002 A	268435456 bit		COMMON	同步剧	8192	1,2,4,8,FP	1,2,4,8	四库页面突发	YES		22.22 mm	10.16 mm
K4S281632O-LI75T00	Samsung Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
K4H511638D-UCCC	Samsung	数据表	27 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	66	TSSOP66,.46	未说明	0.65 ns	70 °C	有	K4H511638D-UCCC	200 MHz	33554432 words	2.6 V	TSSOP	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.81				SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	3	32000000	PLASTIC/EPOXY		e6	有		Tin/Bismuth (Sn97Bi3)					DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260		0.635 mm	unknown				R-PDSO-G66	不合格			2.6 V	COMMERCIAL									0.4 mA		32MX16	3-STATE		16			0.005 A	536870912 bit		COMMON	DDR DRAM	8192	2,4,8	2,4,8
K4S281632I-UI75	Samsung	数据表	486 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
K4H511638D-UCB3	Samsung	数据表	300 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	66	TSSOP66,.46	未说明	0.7 ns	70 °C	有	K4H511638D-UCB3	166 MHz	33554432 words	2.5 V	TSSOP	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.82				SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	2	32000000	PLASTIC/EPOXY		e6	有		Tin/Bismuth (Sn97Bi3)					DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260		0.635 mm	unknown				R-PDSO-G66	不合格			2.5 V	COMMERCIAL									0.38 mA		32MX16	3-STATE		16			0.005 A	536870912 bit		COMMON	DDR DRAM	8192	2,4,8	2,4,8
K4S281632K-UC60	Samsung	数据表	2400 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	54	3	8000000	PLASTIC/EPOXY	TSOP54,.46,32	未说明	5 ns	70 °C	有	K4S281632K-UC60	200 MHz	8388608 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.72	TSOP2				TSOP2, TSOP54,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE			有	EAR99				AUTO/SELF REFRESH	8542.32.00.02	DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	未说明	1	0.8 mm	unknown			54	R-PDSO-G54	不合格		3.6 V	3.3 V	COMMERCIAL	3 V					1		SYNCHRONOUS	0.22 mA		8MX16	3-STATE	1.2 mm	16			0.002 A	134217728 bit		COMMON	同步剧	4096	1,2,4,8,FP	1,2,4,8	四库页面突发	YES		22.22 mm	10.16 mm
K4S561632J-UI75	Samsung	数据表	456 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	54	3	16000000	PLASTIC/EPOXY	TSOP54,.46,32	-40 °C	未说明	5.4 ns	85 °C	有	K4S561632J-UI75	133 MHz	16777216 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.82				TSOP2, TSOP54,.46,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE		e6	有		Tin/Bismuth (Sn97Bi3)			AUTO/SELF REFRESH		DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	unknown				R-PDSO-G54	不合格		3.6 V	3.3 V	INDUSTRIAL	3 V					1		SYNCHRONOUS	0.18 mA		16MX16	3-STATE	1.2 mm	16			0.002 A	268435456 bit		COMMON	同步剧	8192	1,2,4,8,FP	1,2,4,8	四库页面突发	YES		22.22 mm	10.16 mm
K4S643232F-UC60	Samsung	数据表	30000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
K4S561632H-UC75	Samsung	数据表	255 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	54	16000000	PLASTIC/EPOXY	TSOP54,.56,32	未说明	5.4 ns	70 °C	有	K4S561632H-UC75	133 MHz	16777216 words	3.3 V	TSOP2	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.79				TSOP2, TSOP54,.56,32	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	3		e6	有		Tin/Bismuth (Sn97Bi3)			AUTO/SELF REFRESH		DRAMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	0.8 mm	unknown				R-PDSO-G54	不合格		3.6 V	3.3 V	COMMERCIAL	3 V					1		SYNCHRONOUS	0.13 mA		16MX16	3-STATE	1.2 mm	16			0.002 A	268435456 bit		COMMON	同步剧	8192	1,2,4,8,FP	1,2,4,8	四库页面突发	YES		22.22 mm	10.16 mm
K4H560838H-UCB3	Samsung	数据表	59354 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
K4S281632O-LI75000	Samsung Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1