AGR18045EF详情
Advanced AGR18045EF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10
Manufacturer
Advanced Semiconductor, Inc.
Brand
Advanced Semiconductor, Inc.
RoHS
Details
Risk Rank
5.78
Ihs Manufacturer
QORVO INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
AGR18045EF
Rohs Code
无
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
包装
Tray
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
MOSFETs
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
射频MOSFET晶体管
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
L带
产品类别
射频MOSFET晶体管
AGR18045EF拓展信息
Advanced
Advanced
Advanced
Advanced
Advanced
Advanced
Advanced
Advanced
Advanced
Advanced








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