Advanced MRF464

底架

Panel

包装/外壳

SOT-123

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Contact Materials

Silver

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

2.5 V

Pd - Power Dissipation

250 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

10

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

35 V

Package Description

FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

MRF464

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.65

包装

Tray

终端

Solder

ECCN 代码

EAR99

类型

射频双极功率

最高工作温度

60 °C

最小工作温度

-25 °C

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

O-CRFM-F4

资历状况

不合格

工作频率

30 MHz

配置

Single

最大额定电流

125 mA

投掷配置

SPST

箱体转运

EMITTER

最大额定电压（直流）

48 V

晶体管应用

AMPLIFIER

操作力

3 N

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

双极电源

最大耗散功率(Abs)

250 W

集电极电流-最大值(IC)

10 A

最小直流增益（hFE）

10

连续集电极电流

10 A

集电极-发射器电压-最大值

35 V

最高频段

高频段

集电极-基极电容-最大值

200 pF

产品类别

射频双极晶体管

辐射硬化

无