APT35G50BN
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Advanced Power Technology APT35G50BN

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型号

APT35G50BN

utmel 编号

42-APT35G50BN

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel

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APT35G50BN
APT35G50BN Advanced Power Technology Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel

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APT35G50BN详情

Advanced Power Technology APT35G50BN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • Reach合规守则

    unknown

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    162 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    35 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    500 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5 V

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技术文档: Advanced Power Technology APT35G50BN.

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