AM29F016D-90E4F详情
AMD AM29F016D-90E4F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
40
供应商器件包装
Axial
终端数量
40
Current - Supply (Nom)
40 mA
RoHS
Compliant
Memory Types
NOR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP40,.8,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
90 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
AM29F016D-90E4F
Number of Words
2097152 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
AMD
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
ADVANCED MICRO DEVICES INC
Risk Rank
5.79
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-R-10509/3, RN70
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.180 Dia x 0.562 L (4.57mm x 14.27mm)
容差
±1%
零件状态
活跃
终止次数
2
温度系数
±100ppm/°C
类型
NOR型号
电阻
115 Ohms
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
组成
Metal Film
功率(瓦特)
0.75W, 3/4W
子类别
闪存
技术
CMOS
电压 - 供电
5 V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G40
资历状况
不合格
失败率
--
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
内存大小
2 MB
电源电流-最大值
0.06 mA
访问时间
90 ns
数据总线宽度
8 b
组织结构
2MX8
内存宽度
8
地址总线宽度
21 b
密度
16 Mb
待机电流-最大值
0.000005 A
记忆密度
16777216 bit
并行/串行
PARALLEL
同步/异步
Asynchronous
字长
8 b
内存IC类型
FLASH
数据轮询
YES
拨动位
YES
电压 - 供电 (最大值)
5.5 V
电压 - 供电 (最小值)
4.5 V
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
32
行业规模
64K
准备就绪/忙碌
YES
通用闪存接口
YES
特征
Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety
座位高度(最大)
--
辐射硬化
无
AM29F016D-90E4F拓展信息
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
AMD
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
AMD








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