AM29F016D-90E4F详情
AMD AM29F016D-90E4F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
40
供应商器件包装
Axial
终端数量
40
RoHS
Compliant
Memory Types
NOR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP40,.8,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
90 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
AM29F016D-90E4F
Number of Words
2097152 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
AMD
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
ADVANCED MICRO DEVICES INC
Risk Rank
5.79
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-R-10509/3, RN70
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.180 Dia x 0.562 L (4.57mm x 14.27mm)
容差
±1%
零件状态
活跃
终止次数
2
温度系数
±100ppm/°C
类型
NOR型号
电阻
115 Ohms
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
组成
Metal Film
功率(瓦特)
0.75W, 3/4W
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G40
资历状况
不合格
工作电源电压
5 V
失败率
--
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
界面
Parallel
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
内存大小
2 MB
电源电流
40 mA
电源电流-最大值
0.06 mA
访问时间
90 ns
数据总线宽度
8 b
组织结构
2MX8
内存宽度
8
地址总线宽度
21 b
密度
16 Mb
待机电流-最大值
0.000005 A
记忆密度
16777216 bit
并行/串行
PARALLEL
同步/异步
Asynchronous
字长
8 b
内存IC类型
FLASH
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
32
行业规模
64K
准备就绪/忙碌
YES
通用闪存接口
YES
特征
Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety
座位高度(最大)
--
辐射硬化
无
AM29F016D-90E4F拓展信息
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
AMD
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
AMD
AMD








哦! 它是空的。