AM29F080B-120EF详情
AMD AM29F080B-120EF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
40
终端数量
40
RoHS
Compliant
Memory Types
NOR
Package Description
LEAD FREE, MO-142CD, TSOP-40
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP40,.8,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Access Time-Max
120 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
AM29F080B-120EF
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Spansion
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SPANSION INC
Risk Rank
5.54
Part Package Code
TSOP1
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
NOR型号
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
40
JESD-30代码
R-PDSO-G40
资历状况
不合格
工作电源电压
5 V
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
界面
Parallel
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
电源电流
40 mA
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
访问时间
120 ns
组织结构
1MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
地址总线宽度
20 b
密度
8 Mb
待机电流-最大值
0.000005 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
同步/异步
Asynchronous
字长
8 b
内存IC类型
FLASH
编程电压
5 V
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
16
行业规模
64K
准备就绪/忙碌
YES
宽度
10 mm
长度
18.4 mm
辐射硬化
无
AM29F080B-120EF拓展信息
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
AMD
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
AMD
AMD








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