AMI Semiconductor FDB8444

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

TO-263AB

RoHS

Non-Compliant

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A (Tc)

Other Names

FDB8444TR

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

167W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5 mOhm @ 70A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8035pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

128nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-