AMI Semiconductor FQD5N50CTM

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件包装

D-Pak

质量

749.986634 mg

RoHS

Compliant

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 48W (Tc)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

QFET®

包装

Tape & Reel (TR)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

颜色

White

额定功率

10.9 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大额定电流

1 A

视角

115 °

正向电流

400 mA

镜头风格

Flat, Round

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ohm @ 2A, 10V

测试电流

400 mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

625pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

正向电压

9 V

照明颜色

White

发光通量

380 lm

场效应管特性

-

显色指数(CRI)

80

测试温度

85 °C

宽度

13.35 mm

高度

1.7 mm

长度

13.35 mm