AMI Semiconductor NTD18N06L-001

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件包装

I-PAK

RoHS

Compliant

Lead Free Status / RoHS Status

Contains lead / RoHS non-compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A (Ta)

Other Names

NTD18N06L-001OS

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Power Dissipation (Max)

2.1W (Ta), 55W (Tj)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

65 mOhm @ 9A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

675pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±15V

场效应管特性

-