AMI Semiconductor NTHD4P02FT1G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

供应商器件包装

ChipFET™

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A (Tj)

Other Names

NTHD4P02FT1GOSCT

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Power Dissipation (Max)

1.1W (Tj)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Cut Tape (CT)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

155 mOhm @ 2.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

300pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)